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Prof. Dr. rer. nat. Michael Rüb

Herzlich Willkommen!

Auf dieser Seite finden Sie u.a. erweiterte persönliche Informationen und Infos zu Vorlesungen, Praktika und Forschungsschwerpunkten.

Persönliches

  • Name: Michael Ewald Rüb
  • Geburtsdatum: 09. Januar 1968
  • Geburtsort: Karlstadt/Main, Bayern
  • Familienstand: verheiratet, zwei Kinder<\li>

Berufstätigkeit

  • Seit 1.09.2008: Professor an der Fachhochschule Jena
    Lehr- und Arbeitsgebiet „Physikintensive Technologien und Mikrostrukturierung“
  • März 1997 – Aug. 2008: Infineon Technologies Austria AG, Villach, Österreich
    Unternehmensbereich “Automotive Industrial and Multimarket”
  • Tätigkeitsprofil: Projektleitungen von Technologieentwicklungs- und Forschungsprojekten
    Konzeption neuer Verfahren und Strukturen
    Interne Patentevaluierung
    Technologieroadmap
  • Projekte:
    Zum Beispiel Projektleitung des Forschungsprojekts „Nächste Generation Siliziumkompensationsbauelemente“
  • Aufbau und Leitung einer internationalen Kooperation zur Erforschung von extremer Hochenergieimplantation zur Herstellung von Kompensationsbauelementen.
    Projektleitung bei Entwicklung eines neuartigen lateralen Hochvoltschalters
    Diese Projekt wurde gefördert durch den österreichischen „Forschungsföderungsfonds“
  • Preise: 1. Preis bei „Infineon Awards“ in der Kategorie,
    Inventors – Outstanding Single Patent (Miterfinder: Ahlers, Deboy, Strack, Weber)

Promotion

  • November 1997: Friedrich-Schiller-Universität Jena, Promotion zum Dr.rer.nat. Dissertationsthema: „Untersuchungen zur Mikrostruktur von KTiOPO4 mit Hilfe der PAC-Spektroskopie und ergänzenden Meßmethoden“
  • Aug. 1995 – Feb. 1997: Wissenschaftlicher Mitarbeiter am Institut für Festkörperphysik der Friedrich-Schiller-Universität Jena, Lehrstuhl Prof. Dr. Witthuhn
  • Okt. 1993 – Sept. 1996: „Associate“ des CERN in Genf, Schweiz Regelmäßige Strahlzeiten und Forschungsaufenthalte am Ionenseparator ISOLDE des CERN
  • Mai 1994 – Juli 1995: Wissenschaftlicher Mitarbeiter am Physikalischen Institut der Universität Erlangen-Nürnberg
  • März und April 1994: Forschungsaufenthalt am „Institutio Naçional di Engenharia e Tecnologia Industrial“ INETI in Lissabon, Portugal

Studium

  • Februar 1994: Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg, Diplomprüfung in Physik; Diplomarbeit: „PAC-Untersuchungen von Indium-Silber- Komplexen in CdTe“
  • November 1993: „General Certificate of Written and Spoken English“ an der Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg
  • Juli und August 1993: „Selected Summer Student“ am CERN in Genf, Schweiz
  • August und Sept. 1991: Werkstudent bei der Firma Mannesmann Rexroth in Lohr am Main, Entwicklungsabteilung Regelventile
  • Okt. 1990 – April 1991: Studiensemester am Physics Department des Imperial College in London, Großbritannien
  • Okt. 1988: Immatrikulation an der Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg für den Diplomstudiengang Physik
  • Okt. 1987 – Sept. 1988: Grundwehrdienst in Wildflecken/Rhön, Bayern

Schulbildung

  • Juni  1987 Abiturprüfung
  • Sept. 1978 – Juni 1987 Franz-Ludwig-von-Erthal-Gymnasium in Lohr am Main, Bayern Sept.
  • 1974 – Juli 1978 Grundschule Lohr-Steinbach, Bayern

Weitere Kenntnisse – Weiterbildung – Tätigkeiten

  • BWL Studium 1994 – 1997: Wirtschaftswissenschaftlicher Zusatzstudiengang für Ingenieure und Naturwissenschaftler, FernUni Hagen,
  • Sprachkenntnisse: Deutsch - Muttersprache, Englisch - Beherrschung in Wort und Schrift, Französisch - Fundierte Kenntnisse, Italienisch - Grundkenntnisse
  • Hobbys: Bergwandern, Lesen, Kochen, Heimwerken

Prof. Dr. rer. nat. Michael Rüb

Lehrgebiete: Physikintensive Technologien, Mikrostrukturierung

Sprechzeiten / Consultation hours

im Wintersemester/ during winter term 2021/22

  • nach Vereinbarung per E-Mail/ on appointment by e-mail

in der vorlesungsfreien Zeit/ at non-lecture period

  • nach Vereinbarung per E-Mail/ on appointment by e-mail
  • 04.02.14

Stand: 30.09.2009
 

  

Die Autorenliste ist jeweils unter dem Link zu den bibliographischen Daten aufgeführt.

   
 PatentnummerLink zu Depatisnet

Deutsche Patente und Patentanmeldungen

(erteilte Patente fett, Doppelnennung als Anmeldung und als erteiltes Patent möglich - Nummern vergleichen!)

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Hinweis: die ausländischen Patentanmeldungen sind in den meisten Fällen Nachanmeldungen von deutschen Patentanmeldungen

   

Europäische Patente

(erteilte Patente fett)

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Koreanische Patentanmeldungen

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US-Patente und Patentanmeldungen

(erteilte Patente fett)

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Internationale Anmeldungen

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Wissenschaftliche Veröffentlichungen

 
H. Schulze, M. Buzzo, F. Niedernostheide, M. Rueb, H. Schulze and R. Job, Hydrogen-Related Donor Formation: Fabrication Techniques, Characterization, and Application to High-Voltage Superjunction Transistors,ECS - joint meeting 2006, Cancun, Mexico 2006
M.Rüb, M.Bär, G.Deml, H.Kapels, M.Schmitt, S.Sedlmaier, C.Tolksdorf, A. Willmeroth, A 600V, 8.7Ohmmm² lateral superjunction transistor, ISPSD06, Naples, Italy, 9-4
M. Buzzo, M.Ciappa, M.Rueb, W.Fichtner, Characterisation of unconventional engineering solution for superjunction devices, ISPSD06, Naples, Italy, 6-17
M.Buzzo, M.Ciappa, M.Rüb, W.Fichtner, Characterisation of 2D Dopant Profiles for the Design of Proton Implanted High-Voltage Superjunction, Proc. of the 12th International Symp. on the Physics and Failure Analysis of Integrated Circuits, Singapore July 200
U.Wahl, G.Deboy, M.Rüb, The Ulimate Benchmark for Superjunction MOSFETs, PCIM China 2005, Shanghai
Application of ultra-high energy boron implantation for superjunction power (CoolMOS) devices
M.Rüb, M.Bär, G.Deboy, F.J.Niedernostheide, M.Schmitt, H.J.Schulze, A.Willmeroth, 550V Superjunction 3.9Ohmmm² Transistor Formed by 25MeV Masked Boron Implantation, ISPSD04, Kitakyushu Japan, pp.455-458
M.Rüb, M.Bär, F.J.Niedernostheide, M.Schmitt, H.J.Schulze, A.Willmeroth, First Study on Superjunction High-Voltage Transistor with N-Columns Formed by Proton Implantation and Annealing, ISPSD04, Kitakyushu Japan, pp.181-184
J. Meijer, B.Burchard, K.Ivanova, B.E.Volland, I.Rangelow, M.Rüb, G. Deboy, High energy ion projection for deep ion implantation as a low cost, high throughput alternative for subsequent epitaxy processes, Journal of Vacuum Science & Technology B (Microelectronics and Nanometer Structures), 2004
M.Rüb, D.Ahlers, J.Baumgartl, G.Deboy, W.Friza, O.Häberlen, I.Steinigke, A novel trench concept for the fabrication of compensation devices, ISPSD2003,  ISPSD2003, Cambridge UK, pp. 203- 20
Th.Licht, N.Achtziger, D.Forkel-Wirth, K.Freitag, J.Grillenberger, M.Kaltenhäuser, U.Reislöhner, M.Rüb, M. Uhrmacher, W. Witthuhn and ISOLDE Collaboration, Hafnium, Cadmium and Indium Impurities in 4H-SiC observed by Perturbed Angular Correlation Spectroscopy,  Diamond and Related Materials 6 (1997) 1436-1439
N.Achtziger, T.Licht, U.Reislöhner, M.Rüb, W.Witthuhn, Identification of transition metal levels in silicon by elemental transmutation, 23rd Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, Volume 4, ed. by M.Scheffler and R.Zimmermann, World Scientific Publishing, Singapore, 1996, pp.2717-2720
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Forschung

Energiefilterkonzept mit Feldstopptechnologie

Feldstopp-Profil: Neuartige energiegefilterte Feldstopptechnologie für hochsperrende IGBT-Schalter

Feldstopp-Profil
Prozesskontrolle für die industrielle Halbleiterdotierung

MicroDot: ​Mikrostrukturierte und optische Werkzeuge zur Prozesskontrolle für die industrielle Dotierung von höchsteffizienten Leistungshalbleiterbauelementen

MicroDot